聚焦 IDAS 2025：红与蓝微电子首席技术官钟泽博士发表论坛演讲：《化合物半导体器件设计中的模拟全流程助力》

9 月 15 日 - 16 日，第三届设计自动化产业峰会 IDAS 2025（Intelligent Design Automation Summit 2025）在杭州・国际博览中心盛大召开。本届峰会以 “锐进” 为主题，汇聚半导体产业上下游头部企业、高校、科研院所力量，设主论坛、12 场专题论坛及企业用户大会，全方位展现 EDA 产业技术创新与应用成果，同期聚焦 AI for EDA、3DIC、汉擎底座等前沿方向。

在 9 月 15 日由北京华大九天科技股份有限公司（以下简称 “华大九天”）承办的 “Custom Design” 分论坛上，红与蓝微电子 (上海) 有限公司（以下简称 “红与蓝微电子”）首席技术官钟泽博士发表《化合物半导体器件设计中的模拟全流程助力》主题演讲。他先简要介绍了公司发展历程和氮化镓基功率、射频器件产品线等基本情况。然后分享了通过 Aether 平台实现参数化单元开发，有效解决了传统 Pcell 设计的效率瓶颈;结合 Polas 工具进行 IR Drop/R-map 与 EM 仿真与工艺/设计优化，显著提升功率器件的电流分布均匀性与可靠性。全方位展现了企业在器件设计领域的实践突破与关键经验。

2025 年 9 月 15 日杭州国际博览中心 IDAS 2025 大会现场，红与蓝微电子首席技术官钟泽博士发表主题演讲的画面

钟博士在演讲中指出，传统设计模式不仅开发周期冗长、人力成本高企，对初创企业而言，配置专业版图设计人员、搭建复杂设计流程更是沉重负担。参数化设计（Pcell）虽被视作提升效率的重要方向，但当前仅少数一线大厂能提供完整的参数化版图绘制工具，高资源门槛将众多中小企业挡在门外。

红与蓝微电子与华大九天合作导入模拟全流程设计理念，通过模拟全流程的创新应用，探索出破局路径：

设计流程规划阶段，从多专业视角拆解设计目标，结合氮化镓功率器件高频、高功率的特性需求，明确各设计环节的模拟精度与核心参数，确保方案与实际产品需求高度契合。

器件建模环节，双管齐下：一方面深度挖掘自有研发数据，基于对氮化镓材料特性、器件结构的深刻理解构建物理模型；另一方面联合行业权威科研机构，引入前沿成果优化校准模型。

仿真优化阶段，创新采用 “全局初筛 + 局部精仿” 的迭代策略：先通过全局仿真锁定影响性能的关键因素与敏感区域，再针对重点部位开展精细化仿真。以器件散热性能优化为例，经多次迭代仿真确定芯片内部最优散热路径布局，使器件工作温度降低，显著提升可靠性与稳定性。

2.2025 年 9 月 15 日上述大会现场，钟泽博士与参会人员的演讲合影画面。

钟博士通过高功率产品设计实例，直观展现模拟全流程的技术价值：借助该技术仿真，仅用数周便完成优化 —— 电压降（IR drop）降低 50%，电流密度最高降幅 75%，后道工序电阻降低 81%，器件电流处理能力提升 2-4 倍，同时突破产品电流峰值瓶颈，实现工作温度降低、性能大幅提升。

最后，他特别强调了华大九天在技术支持中发挥关键作用：其提供的 Pcell 全流程解决方案，全面覆盖方案规划、参数定义、模型输出与后期维护等设计需求；Polas 工具界面清晰、参数贴合实际工艺，并支持定制化组件开发，大幅提升设计效率。

作为初创企业，红与蓝微电子依托模拟全流程实现了产品迭代提速与研发成本降低，核心竞争力持续增强。未来将继续深化模拟技术探索，携手产业链伙伴推动化合物半导体产业发展。此次红与蓝微电子的实践案例，既展现国内企业在化合物半导体设计领域的创新实力，也为产业链上下游协同创新提供重要参考。